UCC27211DR

Texas Instruments
595-UCC27211DR
UCC27211DR

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 120V Boot 4A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drv A 595-UCC27211D

Modèle de ECAO:
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Stock:
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Délai usine :
6 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,91 € 1,91 €
1,42 € 14,20 €
1,30 € 32,50 €
1,16 € 116,00 €
1,09 € 272,50 €
1,06 € 530,00 €
1,02 € 1.020,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,98 € 2.450,00 €
0,955 € 4.775,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tube
Disponibilité:
En stock
Prix:
2,72 €
Min.:
1

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Fin de vie: Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
4 A
8 V
17 V
7.2 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 140 C
UCC27211
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Type de produit: Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Poids de l''unité: 76 mg
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.