TPSI2260QDWQRQ1

Texas Instruments
595-TPSI2260QDWQRQ1
TPSI2260QDWQRQ1

Fab. :

Description :
Relais à semi-conducteurs - Montage PCB Automotive 600V 50m A isolated switch wi

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Prix (EUR)

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Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
4,55 € 4,55 €
3,08 € 30,80 €
2,86 € 71,50 €
2,52 € 252,00 €
2,39 € 597,50 €
2,14 € 1.070,00 €
1,81 € 1.810,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
1,75 € 3.500,00 €
1,71 € 6.840,00 €
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Texas Instruments
Catégorie du produit: Relais à semi-conducteurs - Montage PCB
Reel
Cut Tape
MouseReel
SMD/SMT
SOIC-11
MOSFET
5 mA
- 40 C
+ 125 C
Marque: Texas Instruments
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Méthode d'isolation d'entrée à sortie: Reinforced Isolation
Tension d'isolation: 1500 Vrms
Résistance à l'état passant maximale: 150 Ohms
Pd - Dissipation d’énergie : 30.5 mW
Produit: Solid State Relay
Type de produit: SSR - Solid State Relays
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Relays
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Attributs sélectionnés: 0

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Relais à semi-conducteurs renforcé TPSI2260-Q1

Le relais à semi-conducteurs isolé TPSI2260-Q1 deTexas Instruments a été conçu pour les applications industrielles et automobiles haute tension. Le relais à semi-conducteurs isolé met en œuvre une technologie d'isolation capacitive renforcée de haute fiabilité, combinée avec des MOSFET dos à dos internes, pour former une solution entièrement intégrée qui ne nécessite aucune alimentation électrique secondaire. La technologie d’isolation capacitive de TI ne présente pas de modes de défaillance d’usure mécanique ou de dégradation photographique qui sont communs aux relais mécaniques et aux relais photo, ce qui améliore la fiabilité du système. Le côté primaire du TPSI2260-Q1 ne consomme que 5 mA de courant d'entrée et intègre une broche EN de sécurité qui empêche la rétroalimentation de l'alimentation VDD. La broche VDD du dispositif doit être connectée à une alimentation système entre 4,5 V et 20 V et la broche EN doit être pilotée via une sortie GPIO avec une logique haute entre 2,1 V et 20 V dans la plupart des applications. De plus, dans d'autres applications, le VDD et les broches EN peuvent être pilotés ensemble directement à partir de l'alimentation du système ou à partir d'une sortie GPIO. Le côté secondaire intègre des MOSFET dos-à-dos avec une tension de séparation de ±600 V de S1 à S2.