TPS28226DR

Texas Instruments
595-TPS28226DR
TPS28226DR

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226D

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Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,20 € 1,20 €
0,98 € 9,80 €
0,886 € 22,15 €
0,792 € 79,20 €
0,745 € 186,25 €
0,716 € 358,00 €
0,691 € 691,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,638 € 1.595,00 €
0,63 € 4.725,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tube
Disponibilité:
En stock
Prix:
1,39 €
Min.:
1

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Fin de vie: Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
4 A
6.8 V
8 V
10 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
TPS28226
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Fonctionnalités: Synchronous Rectification
Délai de désactivation max.: 14 ns
Pd - Dissipation d’énergie : 1.25 W
Type de produit: Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Poids de l''unité: 72,600 mg
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.