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TPS1100D

Name: Texas Instruments TPS1100D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS1100D
Price: 2.57 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-TPS1100D

N° de fab. :

TPS1100D

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET MOSFET 10ns RT A 595 -TPS1100DR A 595-TP A 595-TPS1100DR

Fiche technique:

TPS1100D Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,57 €	2,57 €
	1,20 €	12,00 €
	1,01 €	75,75 €
	0,903 €	474,08 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

TPS1100DR

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,86 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

TPS1100DR

Description :

MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1100D

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	15 V
Id - Courant continu de fuite:	1.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	5.45 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	791 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	2.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	TPS1100
Nombre de pièces de l'usine:	75
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	4.5 ns
Poids de l''unité:	74 mg