LMG3526R030RQST

FET GaN avec pilote intégré LMG3526R030

Texas Instruments LMG3526R030 FET GaN avec pilote intégré est livré avec des protections et cible les convertisseurs de puissance à découpage et permet aux concepteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de densité de puissance et d'efficacité. Le LMG3526R030 intègre un pilote de silicium permettant des vitesses de commutation pouvant atteindre 150 V/ns. La polarisation à précision intégrée de grille de TI se traduit par un SOA de commutation supérieur à celui des pilotes discrets de grilles en silicium. Cette intégration, associée au boîtier à faible inductance de TI, permet d'obtenir une commutation nette et une sonnerie minimale dans des topologies d'alimentation électrique à commutation matérielle. La force réglable du pilotage de la grille permet de commander la vitesse de balayage de 20 V/ns à 150 V/ns, ce qui peut servir à contrôler les interférences électromagnétiques (EMI) et à optimiser activement les performances de commutation.