LMG3411R050RWHT

Texas Instruments
595-LMG3411R050RWHT
LMG3411R050RWHT

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR

Modèle de ECAO:
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En stock: 37

Stock:
37 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 37 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
26,78 € 26,78 €
21,66 € 216,60 €
20,38 € 509,50 €
18,98 € 1.898,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
17,11 € 4.277,50 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-32
1 Driver
1 Output
12 A
9.5 V
18 V
Non-Inverting
2.9 ns
26 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3411R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Délai de désactivation max.: 8.9 ns
Délai d'activation max.: 5.2 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 23 mA
Tension de sortie: 5 V
Type de produit: Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source: 57 mOhms
Nombre de pièces de l'usine: 250
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Nom commercial: GaN
Poids de l''unité: 188,300 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Étage de puissance GaN LMG341xR050

L'étage de puissance GaN LMG341xR050 de Texas Instruments avec pilote et protection intégrés permet aux concepteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de densité de puissance et d'efficacité dans les systèmes d'électronique de puissance. Les avantages inhérents du LMG341x’s par rapport aux MOSFET en silicium comprennent une capacité d'entrée et de sortie ultra-faible, une récupération inverse nulle pour réduire les pertes de commutation jusqu'à 80 %, et une faible sonnerie de nœud de commutateur pour réduire les EMI. Ces avantages permettent de mettre en place des topologies denses et efficaces comme le PFC à pôle totem.