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LMG2100R044RARR

Name: Texas Instruments LMG2100R044RARR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R044RARR
Price: 8.54 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-LMG2100R044RARR

N° de fab. :

LMG2100R044RARR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Commandes de grilles 100-V 4.4-m? half-br idge GaN FET with i

Fiche technique:

LMG2100R044RARR Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	8,54 €	8,54 €
	5,85 €	58,50 €
	4,41 €	441,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	4,41 €	11.025,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VQFN-FCRLF-16
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	LMG2100R044
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs

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Fiche technique

LMG2100R044RARR Fiche technique

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Étage de puissance demi-pont GaN LMG2100R044

L’étage de puissance demi-pont GaN LMG2100R044 de Texas Instruments est un étage de puissance demi-pont 35 A, à impulsion 100 V, continu 90 V avec pilote de grille intégré et FET au nitrure de gallium (GaN) à enhancement-mode. Le LMG2100R044 combine deux FET GaN 100 V pilotés par un pilote FET GaN 90 V haute fréquence dans une configuration demi-pont. Les FET GaN offrent des avantages considérables pour la conversion de puissance, tels qu’une récupération inverse nulle ainsi qu'une capacité d’entrée CISS et une capacité de sortie COSS minimales.