LMG1205YFXT

Texas Instruments
595-LMG1205YFXT
LMG1205YFXT

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXR

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Délai usine :
6
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
3,55 € 3,55 €
2,68 € 26,80 €
2,47 € 61,75 €
2,23 € 223,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
2,12 € 530,00 €
2,05 € 1.025,00 €
1,99 € 1.990,00 €
1,93 € 4.825,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
3,03 €
Min.:
1

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Commandes de grilles 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXT

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSBGA-12
2 Driver
2 Output
5 A
4.5 V
5.5 V
7 ns
3.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG1205
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Pays d’assemblage: MY
Pays de diffusion: US
Pays d'origine: MY
Délai de désactivation max.: 50 ns
Délai d'activation max.: 50 ns
Courant d'alimentation de fonctionnement: 2 mA
Type de produit: Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine: 250
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Nom commercial: GaN
Poids de l''unité: 3,400 mg
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG1205 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LMG1205 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck, boost, or half-bridge configuration. The device has an integrated 100V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5V. This feature prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LMG1205 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LMG1205 has split-gate outputs which provide flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently.

Pilote GaN à demi-pont LMG1025/LMG1025-Q1

Le pilote GaN à demi-pont LMG1025/LMG1025-Q1 de Texas Instruments est conçu pour piloter les FET au nitrure de gallium (GaN) à mode d'amélioration, à la fois du côté haut et du côté bas, dans une configuration Buck, Boost ou demi-pont synchrone.  Le composant dispose d'une diode d'amorçage 100 V intégrée et d'entrées indépendantes pour les sorties côté haut et côté bas pour une flexibilité de contrôle maximale. La tension de polarisation côté haut est générée à l'aide d'une technique d'amorçage. Elle est bridée en interne à 5 V, ce qui empêche la tension de grille de dépasser la valeur maximale de la tension nominale de la grille-source des FET GaN en mode d'amélioration. Les entrées du LMG1205/LMG1025-Q1 sont compatibles logique TTL et peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 14 V quelle que soit la tension VDD.  Le LMG1205/LMG1205-Q1 est doté de sorties à grille séparée, ce qui permet de régler indépendamment l'intensité de l'activation et de la désactivation.

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.