LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments
595-LM5113QDPRRQ1
LM5113QDPRRQ1

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Automotive 1.2-A/5-A 100-V half bridge

Modèle de ECAO:
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En stock: 3.539

Stock:
3.539 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
3,79 € 3,79 €
2,88 € 28,80 €
2,65 € 66,25 €
2,40 € 240,00 €
2,28 € 570,00 €
2,21 € 1.105,00 €
2,15 € 2.150,00 €
2,10 € 5.250,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4500)
2,05 € 9.225,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WSON-10
2 Driver
2 Output
5 A
4.5 V
5.5 V
7 ns
3.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5113
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Pays d’assemblage: MY
Pays de diffusion: US
Pays d'origine: MY
Délai de désactivation max.: 26.5 ns
Délai d'activation max.: 28 ns
Courant d'alimentation de fonctionnement: 2 mA
Type de produit: Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine: 4500
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Poids de l''unité: 49,200 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of driving a high-side enhancement mode GaN FET operating up to 100V. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5.2V. This clamping prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LM5113/LM5113-Q1 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LM5113/LM5113-Q1 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently. The LM5113-Q1 devices are AEC-Q100 qualified for automotive applications.