ISO7720FQDWVRQ1

Texas Instruments
595-ISO7720FQDWVRQ1
ISO7720FQDWVRQ1

Fab. :

Description :
Isolateurs numériques Automotive robust E MC dual-channel 2/

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,18 € 2,18 €
1,63 € 16,30 €
1,49 € 37,25 €
1,33 € 133,00 €
1,26 € 315,00 €
1,21 € 605,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
1,17 € 1.170,00 €
1,13 € 2.260,00 €
1,11 € 5.550,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Isolateurs numériques
RoHS:  
ISO7720
SMD/SMT
SOIC-8
2 Channel
Unidirectional
100 Mb/s
5000 Vrms
Capacitive Coupling
5.5 V
2.25 V
11.6 mA
17 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Canaux directs: 2 Channel
Temps de descente max.: 3.9 ns
Temps de montée max.: 3.9 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Pd - Dissipation d’énergie : 110 mW
Produit: Automotive Digital Isolators
Type de produit: Digital Isolators
Déformation de la largeur d'impulsion: 0.5 ns
Arrêt: No Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Interface ICs
Type: High-Speed Reinforced Digital Isolator
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Isolateurs numériques ISO772x/ISO772x-Q1

Les isolateurs numériques ISO772x/ISO772x-Q1 de Texas Instruments sont des isolateurs numériques à double canal de haute performance à niveau d'isolation 5 000 VRMS (boîtier DW) et 3 000 VRMS (boîtier D) selon la norme UL 1577. Ces composants sont également certifiés par VDE, TUV, CSA et CQC. L'ISO772x/ISO772x-Q1 procure une haute immunité électromagnétique et de faibles émissions avec une faible consommation d'énergie tout en isolant les E/S numériques CMOS ou LVCMOS. Chaque voie d'isolation possède des mémoires tampons d'entrée et de sortie séparées par une barrière d'isolation en dioxyde de silicium (SiO2).