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CSD87501L

Name: Texas Instruments CSD87501L
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87501L
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-CSD87501L

N° de fab. :

CSD87501L

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFE A 595-CSD87501LT

Fiche technique:

CSD87501L Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,697 €	0,70 €
	0,45 €	4,50 €
	0,368 €	36,80 €
	0,353 €	176,50 €
	0,34 €	340,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,323 €	969,00 €
	0,314 €	1.884,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD87501LT

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,93 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD87501LT

Description :

MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	BGA-10
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.3 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Dual
Temps de descente:	712 ns, 712 ns
Transconductance directe - min.:	48 S, 48 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	260 ns, 260 ns
Série:	CSD87501L
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	709 ns, 709 ns
Délai d'activation standard:	164 ns, 164 ns
Poids de l''unité:	3,100 mg

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TARIC:: 8542399000
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KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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