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CSD87335Q3DT

Name: Texas Instruments CSD87335Q3DT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87335Q3DT
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD87335Q3DT

N° de fab. :

CSD87335Q3DT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D

Fiche technique:

CSD87335Q3DT Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,62 €	1,62 €
	1,08 €	10,80 €
	0,912 €	91,20 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,912 €	228,00 €
	0,857 €	428,50 €
	0,841 €	841,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD87335Q3D

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,28 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD87335Q3D

Description :

MOSFET 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3DT

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LSON-CLIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.4 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V, 750 mV
Qg - Charge de grille:	5.7 nC, 10.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	6 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	4 ns, 5 ns
Transconductance directe - min.:	59 S, 107 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	29 ns, 27 ns
Série:	CSD87335Q3D
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns, 17 ns
Délai d'activation standard:	8 ns, 8 ns
Poids de l''unité:	68,100 mg

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Fiche technique

CSD87335Q3DT Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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