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CSD25481F4T

Name: Texas Instruments CSD25481F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25481F4T
Price: 1.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD25481F4T

N° de fab. :

CSD25481F4T

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4

Fiche technique:

CSD25481F4T Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,21 €	1,21 €
	0,759 €	7,59 €
	0,437 €	43,70 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,437 €	109,25 €
	0,372 €	186,00 €
	0,334 €	334,00 €
	0,32 €	800,00 €
	0,316 €	1.580,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD25481F4

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,36 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD25481F4

Description :

MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PICOSTAR-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	800 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	950 mV
Qg - Charge de grille:	913 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	FemtoFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	6.7 ns
Transconductance directe - min.:	3.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.6 ns
Série:	CSD25481F4
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	16.9 ns
Délai d'activation standard:	4.1 ns
Poids de l''unité:	0,400 mg

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Fiche technique

CSD25481F4T Fiche technique

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Function Diagram

PCN

SPICE Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance FemtoFET

Les MOSFET de puissance FemtoFET de Texas Instruments offrent un encombrement ultra-réduit (taille du boîtier 0402) avec une résistance ultra-faible (inférieure de 70 % à la concurrence). Ces MOSFET comportent des caractéristiques de Qg et Qgd ultra faibles et sont dotés d'une ESD optimisée. Ils sont disponibles en boîtier LGA (land grid array). Ce boîtier maximise le contenu de silicium, ce qui les rend idéaux pour les applications à espace restreint. Ces MOSFET de puissance offrent une faible dissipation d'énergie et de faibles pertes de commutation pour de meilleures performances à faible charge. Les applications standard de ces composants sont notamment les applications portables, mobiles, à commutation de charge, à commutation générale et alimentées par batteries.
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