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CSD25304W1015T

Name: Texas Instruments CSD25304W1015T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015T
Price: 1.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD25304W1015T

N° de fab. :

CSD25304W1015T

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

Fiche technique:

CSD25304W1015T Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,45 €	1,45 €
	0,929 €	9,29 €
	0,538 €	53,80 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,538 €	134,50 €
	0,454 €	227,00 €
	0,409 €	409,00 €
	0,393 €	982,50 €
	0,373 €	1.865,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD25304W1015

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,67 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD25304W1015

Description :

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DSBGA-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	92 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	3.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	CSD25304W1015
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Poids de l''unité:	1,700 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.