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CSD25211W1015

Name: Texas Instruments CSD25211W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25211W1015
Price: 0.74 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD25211W1015

N° de fab. :

CSD25211W1015

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET PCh NexFET Power MOS FET

Fiche technique:

CSD25211W1015 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,748 €	0,75 €
	0,46 €	4,60 €
	0,301 €	30,10 €
	0,252 €	126,00 €
	0,227 €	227,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,188 €	564,00 €
	0,158 €	948,00 €
	0,141 €	1.269,00 €
	0,136 €	3.264,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DSBGA-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	44 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	3.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	14.2 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.8 ns
Série:	CSD25211W1015
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	36.9 ns
Délai d'activation standard:	13.6 ns
Poids de l''unité:	1,700 mg

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Fiche technique

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SPICE Models

CSD25211W1015 PSPICE Model

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.