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CSD23382F4

Name: Texas Instruments CSD23382F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23382F4
Price: 0.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD23382F4

N° de fab. :

CSD23382F4

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET P-Channel MOSFET A 5 95-CSD23382F4T A 59 A 595-CSD23382F4T

Fiche technique:

CSD23382F4 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,37 €	0,37 €
	0,226 €	2,26 €
	0,144 €	14,40 €
	0,108 €	54,00 €
	0,095 €	95,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,08 €	240,00 €
	0,072 €	432,00 €
	0,061 €	549,00 €
	0,06 €	1.440,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD23382F4T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,23 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD23382F4T

Description :

MOSFET P-Ch NexFET Power MO SFET A 595-CSD23382 A 595-CSD23382F4

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PICOSTAR-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	3.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	76 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	500 mV
Qg - Charge de grille:	1.04 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Kit de développement:	CSD1FPCHEVM-890
Temps de descente:	41 ns
Transconductance directe - min.:	3.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	CSD23382F4
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	66 ns
Délai d'activation standard:	28 ns
Poids de l''unité:	0,400 mg

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Fiche technique

CSD23382F4 Fiche technique

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Function Diagram

PCN

SPICE Models

Technical Resources

CSD23382F4 TINA-TI Transient Reference Design

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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