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CSD22206W

Name: Texas Instruments CSD22206W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22206W
Price: 0.92 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-CSD22206W

N° de fab. :

CSD22206W

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

Fiche technique:

CSD22206W Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,92 €	0,92 €
	0,568 €	5,68 €
	0,371 €	37,10 €
	0,286 €	143,00 €
	0,258 €	258,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,219 €	657,00 €
	0,206 €	1.236,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD22206WT

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,67 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD22206WT

Description :

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DSBGA-9
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	8 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.05 V
Qg - Charge de grille:	14.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.7 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	45 ns
Transconductance directe - min.:	20 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17 ns
Série:	CSD22206W
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	118 ns
Délai d'activation standard:	37 ns
Poids de l''unité:	200 mg

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CSD22206W TINA-TI Reference Design

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs is a –8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm device that is designed to deliver low on-resistance and gate charge in a small package. The device provides the smallest outline possible with excellent thermal characteristics. The low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications.

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