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CSD19536KCS

Name: Texas Instruments CSD19536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KCS
Price: 4.6 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

595-CSD19536KCS

N° de fab. :

CSD19536KCS

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

Fiche technique:

CSD19536KCS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	2,95 €	29,50 €
	2,69 €	269,00 €
	2,30 €	1.150,00 €
	2,24 €	2.240,00 €
	2,12 €	5.300,00 €
	2,09 €	10.450,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	259 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	118 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	307 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	CSD19536KCS
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	38 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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