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CSD18510KCS

Name: Texas Instruments CSD18510KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18510KCS
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD18510KCS

N° de fab. :

CSD18510KCS

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

Fiche technique:

CSD18510KCS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	1,05 €	105,00 €
	0,903 €	451,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.4 V
Qg - Charge de grille:	153 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	330 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	CSD18510KCS
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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