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CSD17581Q5AT

Name: Texas Instruments CSD17581Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17581Q5AT
Price: 1.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD17581Q5AT

N° de fab. :

CSD17581Q5AT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A

Fiche technique:

CSD17581Q5AT Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,52 €	1,52 €
	0,972 €	9,72 €
	0,564 €	56,40 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,564 €	141,00 €
	0,486 €	243,00 €
	0,439 €	439,00 €
	0,416 €	1.040,00 €
	0,397 €	1.985,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD17581Q5A

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,96 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD17581Q5A

Description :

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSONP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	54 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	85 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Série:	CSD17581Q5A
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	84,400 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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