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CSD17308Q3

Name: Texas Instruments CSD17308Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17308Q3
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD17308Q3

N° de fab. :

CSD17308Q3

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T

Fiche technique:

CSD17308Q3 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,15 €	1,15 €
	0,727 €	7,27 €
	0,482 €	48,20 €
	0,376 €	188,00 €
	0,341 €	341,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,311 €	777,50 €
	0,276 €	1.380,00 €
	0,27 €	2.700,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD17308Q3T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,46 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD17308Q3T

Description :

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-CLIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	10.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	900 mV
Qg - Charge de grille:	3.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	28 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Kit de développement:	BQ500211AEVM-210
Temps de descente:	2.3 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.7 ns
Série:	CSD17308Q3
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	9.9 ns
Délai d'activation standard:	4.5 ns
Poids de l''unité:	41 mg

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Fiche technique

CSD17308Q3 Fiche technique

Models

CSD17308Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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