Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

CSD16325Q5

Name: Texas Instruments CSD16325Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16325Q5
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-CSD16325Q5

N° de fab. :

CSD16325Q5

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET N-Channel NexFET Pow er MOSFET

Fiche technique:

CSD16325Q5 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Texas Instruments CSD16325Q5

En stock: 4.355

Stock:: 4.355 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,34 €	2,34 €
	1,51 €	15,10 €
	1,05 €	105,00 €
	0,847 €	423,50 €
	0,774 €	774,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,711 €	1.777,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-CLIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.1 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.1 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	159 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Série:	CSD16325Q5
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	10.5 ns
Poids de l''unité:	118 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
En savoir plus

NexFET™ Power MOSFET: CSD16325Q5

The Texas Instruments CSD16325Q5 N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications. The TI CSD16325Q5 NexFET MOSFET is optimized for 5V gate drive applications and boasts ultralow Gate Charge Total and Gate Charge Gate to Drain and low thermal resistance. The TI CSD16325Q5 NexFET Power MOSFET is avalanche rated and optimized for Synchronous FET applications and Point-of-Load Synchronous Buck in networking, telecom, and computing systems.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.