Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

CSD13381F4

Name: Texas Instruments CSD13381F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13381F4
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-CSD13381F4

N° de fab. :

CSD13381F4

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T

Fiche technique:

CSD13381F4 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Texas Instruments CSD13381F4

En stock: 21.354

Stock:: 21.354 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 6 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,31 €	0,31 €
	0,231 €	2,31 €
	0,132 €	13,20 €
	0,09 €	45,00 €
	0,071 €	71,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,058 €	174,00 €
	0,051 €	306,00 €
	0,044 €	396,00 €
	0,041 €	984,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD13381F4T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,35 €

Min.:

Produit similaire

Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD13381F4T

Description :

MOSFET 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PICOSTAR-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	2.1 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	650 mV
Qg - Charge de grille:	1.06 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1.5 ns
Série:	CSD13381F4
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel FemtoFET MOSFET
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	3.7 ns
Poids de l''unité:	0,400 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

PCN

SPICE Models

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
En savoir plus

MOSFET de puissance FemtoFET

Les MOSFET de puissance FemtoFET de Texas Instruments offrent un encombrement ultra-réduit (taille du boîtier 0402) avec une résistance ultra-faible (inférieure de 70 % à la concurrence). Ces MOSFET comportent des caractéristiques de Qg et Qgd ultra faibles et sont dotés d'une ESD optimisée. Ils sont disponibles en boîtier LGA (land grid array). Ce boîtier maximise le contenu de silicium, ce qui les rend idéaux pour les applications à espace restreint. Ces MOSFET de puissance offrent une faible dissipation d'énergie et de faibles pertes de commutation pour de meilleures performances à faible charge. Les applications standard de ces composants sont notamment les applications portables, mobiles, à commutation de charge, à commutation générale et alimentées par batteries.
En savoir plus