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BUF08630RGWR

Name: Texas Instruments BUF08630RGWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-BUF08630RGWR
Price: 2.35 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

595-BUF08630RGWR

N° de fab. :

BUF08630RGWR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Tampons pour correction gamma LCD Programmable Gamma- Voltage Gen A 595-BU A 595-BUF08630RGWT

Fiche technique:

BUF08630RGWR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Tampons pour correction gamma LCD
RoHS:
Série:	BUF08630
Nombre de canaux:	9 Channel
VB - Vitesse de balayage:	45 V/us
Tension d’alimentation - Max.:	20 V
Tension d’alimentation - Min.:	9 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	940 uA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VQFN-20
Conditionnement:	Reel
Type d'amplificateur:	Gamma Buffer,VCOM
Marque:	Texas Instruments
Kit de développement:	BUF08630EVM
Sensibles à l’humidité:	Yes
Produit:	LCD Gamma Buffers
Type de produit:	LCD Gamma Buffers
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Amplifier ICs
Poids de l''unité:	70 mg

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Fiche technique

BUF08630RGWR Fiche technique

Application Notes

Driving Capacitive Loads with Gamma Buffers

Images

Models

BUF08630RGWR Symbol & Footprint by SnapMagic

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CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390070
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

BUF08630 Programmable Gamma-Voltage Generators

Texas Instruments BUF08630 programmable gamma-voltage generators offer eight programmable gamma channels and one programmable V_COM channel. TI BUF08630 programmable gamma-voltage generators have two separate memory banks, allowing simultaneous storage of two different gamma curves to facilitate switching between gamma curves. The final gamma and V_COM values can be stored in the on-chip, nonvolatile memory. To allow for programming errors or liquid crystal display (LCD) panel rework, the TI BUF08630 supports up to 16 write operations to the on-chip memory.