TSM2N7002AKCU RFG

Taiwan Semiconductor
821-TSM2N7002AKCURFG
TSM2N7002AKCU RFG

Fab. :

Description :
MOSFET 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 798

Stock:
798 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,241 € 0,24 €
0,162 € 1,62 €
0,102 € 10,20 €
0,064 € 32,00 €
0,05 € 50,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,043 € 129,00 €
0,037 € 222,00 €
0,032 € 288,00 €
0,029 € 696,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
60 V
240 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
680 pC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Temps de descente: 9.5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 2 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 7.98 ns
Délai d'activation standard: 2.72 ns
Raccourcis pour l'article N°: TSM2N7002AKCU
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.