TSG65N068CE RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N068CERVG
TSG65N068CE RVG

Fab. :

Description :
FET GaN 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
30 Semaines Délai de production estimé en usine.
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Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
68 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 5.7 ns
Conditionnement: Reel
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 6.3 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Délai de désactivation type: 10.8 ns
Délai d'activation standard: 8.2 ns
Raccourcis pour l'article N°: TSG65N068CE
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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TAIWAN SEMICONDUCTOR

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