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TQM110NB04DCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TQM110NB04DCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TQM110NB04DCRRLG
Price: 2.14 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

821-TQM110NB04DCRRLG

N° de fab. :

TQM110NB04DCR RLG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TQM110NB04DCR RLG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,14 €	2,14 €
	1,38 €	13,80 €
	0,937 €	93,70 €
	0,778 €	389,00 €
	0,685 €	685,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,673 €	1.682,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PDFN56U-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	11 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.8 V
Qg - Charge de grille:	26 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Taiwan Semiconductor
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	32 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TQM110NB04DCR
Poids de l''unité:	372,608 mg

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SPICE Model

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.