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BSS84W RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS84W RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS84W
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

821-BSS84W

N° de fab. :

BSS84W RFG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET -60, -0.14, Single P-Channel

Fiche technique:

BSS84W RFG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,241 €	0,24 €
	0,162 €	1,62 €
	0,102 €	10,20 €
	0,064 €	32,00 €
	0,05 €	50,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,043 €	129,00 €
	0,033 €	198,00 €
	0,032 €	288,00 €
	0,029 €	696,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-323-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	140 mA
Rds On - Résistance drain-source:	8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	1.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 155 C
Pd - Dissipation d’énergie :	298 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	78 ns
Transconductance directe - min.:	0.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channe
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSS84W
Poids de l''unité:	6 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.