BSS138 RFG

Taiwan Semiconductor
821-BSS138
BSS138 RFG

Fab. :

Description :
MOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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Minimum : 1   Multiples : 1
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-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,31 € 0,31 €
0,227 € 2,27 €
0,129 € 12,90 €
0,087 € 43,50 €
0,069 € 69,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,059 € 177,00 €
0,045 € 270,00 €
0,042 € 378,00 €
0,04 € 960,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
260 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
1.6 V
1 nC
- 55 C
+ 150 C
357 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Temps de descente: 48 ns
Transconductance directe - min.: 0.8 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 11 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channe
Délai de désactivation type: 20 ns
Délai d'activation standard: 3 ns
Raccourcis pour l'article N°: BSS138
Poids de l''unité: 8 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.