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SSDPF2SQ800GZ01

Name: Solidigm SSDPF2SQ800GZ01
Brand: Solidigm
SKU: 662-SSDPF2SQ800GZ01
Price: 1305.48 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

662-SSDPF2SQ800GZ01

N° de fab. :

SSDPF2SQ800GZ01

Fab. :

Solidigm

Description :

Disques durs électroniques - SSD Solidigm D7-P5810 Series (800GB, 2.5in PCIe 4.0 x4, 3D4, SLC) Generic Single Pack

Fiche technique:

SSDPF2SQ800GZ01 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Solidigm
Catégorie du produit:	Disques durs électroniques - SSD
RoHS:
REACH - SVHC:
Série:	P5810
Taille de la mémoire:	800 GB
Produit:	PCIe SSDs
Facteur de forme:	U.2
Configuration:	SLC
Type d'interface:	PCIe
Écriture soutenue:	4000 MB/s
Lecture soutenue:	6400 MB/s
Marque:	Solidigm
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Type de produit:	Solid State Drives - SSD
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	P5810
Raccourcis pour l'article N°:	AA000503E

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SSDPF2SQ800GZ01 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8523801000
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CAHTS:: 8523510000
USHTS:: 8523510000
JPHTS:: 852351000
ECCN:: 5A992.C

Disques SSD PCIe 4.0 D7-P5810

Les disques SSD PCIe 4.0 D7-P5810 de Solidigm™ sont des disques NVM Express (NVMe) ultra-rapides, spécialement conçus pour répondre aux exigences strictes des environnements d’entreprise. Ces disques excellent dans les charges de travail à écriture intensive telles que la mise en cache, l’informatique à hauteperformance (HPC), la consignation et la journalisation, en offrant des performances pratiquement doubles de celles d'options alternatives. Les disques SSD D7-P5810 offrent une haute durabilité d’écriture aléatoire et séquentielle à un niveau d’endurance pouvant atteindre 50 écritures disque par jour (DWPD) pour les charges de travail à écriture aléatoire. Ces disques SSD servent de cache ou de tampon d’écriture pour éliminer les goulets d’étranglement de performances et améliorent nettement le coût total de possession (CTP). En plus d’une haute endurance et de hautes performances, ces disques SSD ont une consommation électrique plus faible que les alternatives de mémoire à classe de stockage.