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ULN2002A

Name: STMicroelectronics ULN2002A
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ULN2002A
Price: 0.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-ULN2002A

N° de fab. :

ULN2002A

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Transistors Darlington Seven NPN Array

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,464 €	0,46 €
	0,29 €	2,90 €
	0,235 €	23,50 €
	0,224 €	112,00 €
	0,219 €	219,00 €
	0,21 €	420,00 €
	0,187 €	935,00 €
	0,186 €	1.860,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Transistors Darlington
RoHS:
Configuration:	Array 7
Polarité du transistor:	NPN
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 V
Courant CC max. du collecteur:	500 mA
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PDIP-16
Température de fonctionnement min.:	- 20 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	ULN2002
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Type de produit:	Darlington Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	1,628 g

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TARIC:: 8542399000
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ECCN:: EAR99

Matrices ULN200x/ULN200xA Seven Darlington

Les matrices Seven Darlington ULN200x/ULN200xA STMicroelectronics offrent une tension et un courant élevés ; elles comportent sept paires Darlington à collecteur ouvert avec émetteurs communs. Chaque canal sur les modèles ULN200x et ULN200xA est classé à 500 mA et peut supporter des courants de crête de 600 mA. Les matrices ULN200x/ULN200xA STM comprennent des diodes de suppression pour piloter la charge inductive et les entrées sont brochées à l'opposé des sorties pour simplifier le tracé de la carte.

Dispositifs Darlington STMicroelectronics

Les dispositifs Darlington STMicroelectronics sont des matrices de commutation à courant fort et haute tension contenant plusieurs paires Darlington à collecteur ouvert ou plusieurs transistors Darlington à émetteurs communs et des diodes de suppression complète pour les charges inductives. L'intensité nominale de chaque sortie est de 500 mA pour les dispositifs à 7 et 8 sorties et peut atteindre 1,5 A pour les dispositifs à sortie quadruple. Les entrées sont brochées vis à vis des sorties pour simplifier le tracé sur la carte d'application. Ces dispositifs ont une interface avec les gammes logiques standard.
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