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STY145N65M5

Name: STMicroelectronics STY145N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STY145N65M5
Price: 29.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STY145N65M5

N° de fab. :

STY145N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

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Fiche technique:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	Max247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	138 A
Rds On - Résistance drain-source:	15 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	414 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	625 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	82 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	5 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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