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STWA75N65DM6

Name: STMicroelectronics STWA75N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA75N65DM6
Price: 12.13 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STWA75N65DM6

N° de fab. :

STWA75N65DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Fiche technique:

STWA75N65DM6 Fiche technique (PDF)

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	12,13 €	12,13 €
	9,18 €	91,80 €
	8,06 €	806,00 €
	7,63 €	4.578,00 €
	7,29 €	8.748,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	75 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	118 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6,100 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.