STWA40N95DK5

STMicroelectronics
511-STWA40N95DK5
STWA40N95DK5

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l

Modèle de ECAO:
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En stock: 595

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Prix unitaire:
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Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
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13,25 € 13,25 €
8,14 € 81,40 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
38 A
120 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
100 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: SG
Temps de descente: 11 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 15 ns
Série: STWA40N95DK5
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 82 ns
Délai d'activation standard: 30 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh DK5 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETs are very-high voltage fast recovery diodes with a 950V to 1050V breakdown voltage. The DK5 has a very low gate charge, as low as 45nC, and a reverse recovery time (trr) of 250ns (typ.). This makes the MDmesh DK5 ideal for ZVS LLC resonant converters in high-power applications. These applications include industrial welders, plasma generators, high-frequency induction melting/heating, and X-ray machines.