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STW88N65M5-4

Name: STMicroelectronics STW88N65M5-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW88N65M5-4
Price: 14.71 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STW88N65M5-4

N° de fab. :

STW88N65M5-4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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STW88N65M5-4 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,71 €	14,71 €
	9,12 €	91,20 €
	9,10 €	910,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	84 A
Rds On - Résistance drain-source:	29 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	204 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	450 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

STW88N65M5-4 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N

Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics, une technologie de MOSFET de puissance révolutionnaire, basée sur un processus vertical propriétaire innovant qui est combiné à la célèbre structure à disposition horizontale PowerMESH™ de STMicroelectronics. Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, qui reste inégalée par les MOSFET de puissance à base de silicium, en faisant un choix idéal pour les applications qui requièrent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
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