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STW68N65DM6

Name: STMicroelectronics STW68N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW68N65DM6
Price: 5.12 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STW68N65DM6

N° de fab. :

STW68N65DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Fiche technique:

STW68N65DM6 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	48 A
Rds On - Résistance drain-source:	59 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	80 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	330 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	32 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	76 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	6 g