STW68N60M6-4

STMicroelectronics
511-STW68N60M6-4
STW68N60M6-4

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 600   Multiples : 600
Prix unitaire:
-,-- €
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Tarif est.:
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5,81 € 3.486,00 €

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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
63 A
41 mOhms
- 25 V, 25 V
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: Not Available
Type de produit: MOSFETs
Série: Mdmesh M6
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N Channel
Poids de l''unité: 6 g
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET MDmesh™ M6

Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Qg) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.