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STW56N65DM2

Name: STMicroelectronics STW56N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW56N65DM2
Price: 9.64 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STW56N65DM2

N° de fab. :

STW56N65DM2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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	5,24 €	3.144,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	48 A
Rds On - Résistance drain-source:	58 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	88 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	360 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7.7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	31 ns
Série:	STW56N65DM2
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	157 ns
Délai d'activation standard:	28 ns
Poids de l''unité:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

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