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STW28N65M2

Name: STMicroelectronics STW28N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW28N65M2
Price: 4.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STW28N65M2

N° de fab. :

STW28N65M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	170 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	8.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	STW28N65M2
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	59 ns
Délai d'activation standard:	13.4 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

STW28N65M2 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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