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STW18NM80

Name: STMicroelectronics STW18NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW18NM80
Price: 7.54 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STW18NM80

N° de fab. :

STW18NM80

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V MDMesh

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Fiche technique:

STW18NM80 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,54 €	7,54 €
	5,19 €	51,90 €
	4,37 €	437,00 €
	3,89 €	2.334,00 €
	3,71 €	4.452,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	17 A
Rds On - Résistance drain-source:	295 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	70 nC
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	IT
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	IT
Temps de descente:	50 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Série:	STW18NM80
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	96 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Poids de l''unité:	6 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.