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STW13N80K5

Name: STMicroelectronics STW13N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW13N80K5
Price: 4.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STW13N80K5

N° de fab. :

STW13N80K5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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Fiche technique:

STW13N80K5 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	16 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Série:	STW13N80K5
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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