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STU7N60M2

Name: STMicroelectronics STU7N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU7N60M2
Price: 1.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STU7N60M2

N° de fab. :

STU7N60M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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Fiche technique:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,79 €	1,79 €
	0,808 €	8,08 €
	0,611 €	61,10 €
	0,522 €	261,00 €
	0,472 €	472,00 €
	0,46 €	1.380,00 €
	0,451 €	2.706,00 €
	0,45 €	4.050,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	860 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	8.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	60 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	15.9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.2 ns
Série:	STU7N60M2
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19.3 ns
Délai d'activation standard:	7.6 ns
Poids de l''unité:	340 mg

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Fiche technique

STU7N60M2 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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