STU5N95K3

STMicroelectronics
511-STU5N95K3
STU5N95K3

Fab. :

Description :
MOSFET POWER MOSFET N-CH 950V 4 A

Modèle de ECAO:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Through Hole
Tube
Marque: STMicroelectronics
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 18 ns
Id - Courant continu de fuite: 4 A
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Nombre de canaux: 1 Channel
Package/Boîte: TO-251-3
Pd - Dissipation d’énergie : 90 W
Type de produit: MOSFETs
Qg - Charge de grille: 19 nC
Rds On - Résistance drain-source: 3 Ohms
Temps de montée: 7 ns
Série: STU5N95K3
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Nom commercial: SuperMESH
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 32 ns
Délai d'activation standard: 17 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 950 V
Vgs - Tension grille-source: - 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V
Poids de l''unité: 340 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8542319000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542310399
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.