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STU13NM60N

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N° Mouser :

511-STU13NM60N

N° de fab. :

STU13NM60N

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 280 mOhm typ 11 A MDmesh II Power MOSFET in an IPAK package

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STU13NM60N Fiche technique (PDF)

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STMicroelectronics

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MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	360 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	27 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	90 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	STU13NM60N
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	340 mg