Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STQ1HNK60R-AP

Name: STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1HNK60R-AP
Price: 0.88 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STQ1HNK60R-AP

N° de fab. :

STQ1HNK60R-AP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package

Complétez votre conception

Fiche technique:

STQ1HNK60R-AP Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP

En stock: 7.635

Stock:: 7.635 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 13 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,886 €	0,89 €
	0,556 €	5,56 €
	0,363 €	36,30 €
	0,28 €	140,00 €
	0,254 €	254,00 €
Ammo Pack complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,206 €	412,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	400 mA
Rds On - Résistance drain-source:	8.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.25 V
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Ammo Pack
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	SG
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	25 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	STQ1HNK60R
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	6.5 ns
Poids de l''unité:	453,600 mg