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STP9N65M2

Name: STMicroelectronics STP9N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP9N65M2
Price: 1.98 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

511-STP9N65M2

N° de fab. :

STP9N65M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Fiche technique:

STP9N65M2 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,98 €	1,98 €
	1,26 €	12,60 €
	0,86 €	86,00 €
	0,717 €	358,50 €
	0,625 €	625,00 €
	0,621 €	1.242,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	900 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	60 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.6 ns
Série:	STP9N65M2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22.5 ns
Délai d'activation standard:	7.5 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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Fiche technique

STP9N65M2 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

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