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STP80N240K6

Name: STMicroelectronics STP80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N240K6
Price: 5.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP80N240K6

N° de fab. :

STP80N240K6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

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	2,19 €	1.095,00 €
	2,13 €	2.130,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	220 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	25.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Temps de descente:	12 s
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	47.8 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STP80N240K6 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.

MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N240K6

Le MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N240K6 de STMicroelectronics est basé sur la technologie ultime MDmesh K6 s’appuyant sur 20 années d’expérience de STM en technologie super-jonction. Le MOSFET de puissance à canal N haute tension offre une charge de grille très basse et un excellent R_DS(on) x zone. Le MOSFET de puissance 800 V STP80N240K6 de ST dispose de la meilleure résistance à l’état passant de sa catégorie par surface et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et une haute efficacité.