STP4N150

STMicroelectronics
511-STP4N150
STP4N150

Fab. :

Description :
MOSFET PowerMESH MOSFET

Modèle de ECAO:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
5,03 € 5,03 €
2,66 € 26,60 €
2,43 € 243,00 €
2,23 € 1.115,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 45 ns
Transconductance directe - min.: 3.5 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 30 ns
Série: STP4N150
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 45 ns
Délai d'activation standard: 35 ns
Poids de l''unité: 2 g
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors


N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.