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STP45N10F7

Name: STMicroelectronics STP45N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP45N10F7
Price: 1.7 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP45N10F7

N° de fab. :

STP45N10F7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A

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Fiche technique:

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	0,822 €	8,22 €
	0,735 €	73,50 €
	0,584 €	292,00 €
	0,546 €	546,00 €
	0,511 €	1.022,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	45 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	60 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17 ns
Série:	STP45N10F7
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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