STP28NM60ND

STMicroelectronics
511-STP28NM60ND
STP28NM60ND

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

Modèle de ECAO:
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En stock: 990

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
5,13 € 5,13 €
3,02 € 30,20 €
2,68 € 268,00 €
2,43 € 1.215,00 €
2,29 € 2.290,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
23 A
150 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
62.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: SG
Temps de descente: 27 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 21.5 ns
Série: STP28NM60ND
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 92 ns
Délai d'activation standard: 23.5 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.